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江波龙电子DDR5内存横空出世 多项实测数据首次对公众开放

百创网 https://www.100chuang.cn 2021-03-19 11:12 出处:网络 作者:[db:作者]编辑:@河南在线
  2021年是DDR内存技术升级换代的快速发展阶段,自2020年以来,5G、AI、汽车、电竞市场需求的居高不下,加速推动了DDR产品迭代以及技术升级。2020年7月中旬JEDEC固态存储协会正式发布DDR5 SDRAM内存标准规范后,D

  2021年是DDR内存技术升级换代的快速发展阶段,自2020年以来,5G、AI、汽车、电竞市场需求的居高不下,加速推动了DDR产品迭代以及技术升级。2020年7月中旬JEDEC固态存储协会正式发布DDR5 SDRAM内存标准规范后,DDR5新技术应用受到业内的关注以及专业领域的探索。

  江波龙电子(以下简称“Longsys”)紧跟存储技术发展前沿,为了满足行业的专业人士以及广大用户对未来产品技术发展的期望,进而为存储行业应用的未来提供更多可能性,在今天正式发布Longsys DDR5内存模组产品(ES1)。此外,Longsys旗下技术型存储品牌FORESEE以及高端消费类存储品牌Lexar雷克沙也将为各自主要应用领域提供强有力的支持。  

江波龙电子DDR5内存横空出世 多项实测数据首次对公众开放

  江波龙电子DDR5内存产品

  DDR5内存速率最高可达6400Mbps  是DDR4的两倍

  此次DDR5的产品发布,涉及两款全新架构产品原型,分别是1Rank x8和2Rank x8标准型PC Unbuffered DIMM 288PIN On-die-ECC。相较于DDR4,DDR5在功能和性能上都得到了显著提升。

  产品系列

  DDR5 UDIMM

  DDR5 UDIMM

  容量

  16GB

  32GB

  设计参考

  JEDEC R/C A 0.50

  JEDEC R/C B 0.51

  设计架构

  1Rank x8 / 288PIN

  2Rank x8 / 288PIN

  速度

  4800Mbps

  4800Mbps

  延迟时序

  CL 40

  CL 40

  VDD/VDDQ/VPP

  1.1V/1.1V/1.8V

  1.1V/1.1V/1.8V

  工作温度

  0摄氏度 ~ +95摄氏度

  0摄氏度 ~ +95摄氏度

  储存温度

  -55摄氏度 ~ +100摄氏度

  -55摄氏度 ~ +100摄氏度

  DRAM P/N

  MT60B2G8HB-48B:A

  MT60B2G8HB-48B:A

  DRAM 密度

  16Gb(2Gx8)

  16Gb(2Gx8)

  PCB Layout

  8 Layer

  8 Layer

  PCB 尺寸

  133.35 * 31.25 * 1.27 mm

  133.35 * 31.25 * 1.27 mm

  全方位数据测试  性能稳定突出

  Longsys DRAM研发经过多年的潜心积累,在DDR5新一代产品上率先开展测试技术投入,此次测试特别选取了部分测试数据首次面向公众开放。其中,展示的测试实例采用了Intel AlderLake-S ADP-S CRB开发板,搭配Longsys DDR5 32GB内存模组,并配置Windows 10 Pro x64操作系统,分别通过鲁大师和AIDA64两个熟知的软件展示DDR5的真实数据。  

江波龙电子DDR5内存横空出世 多项实测数据首次对公众开放

  通过BIOS了解到DDR5新架构采用了两个完全独立的32位通道

  1 鲁大师测试数据

  首先呈现的是硬件配置,内存识别为Longsys ID。

  通过鲁大师测试,Longsys DDR5 32GB的跑分高达19万分有余。

  2 AIDA64测试数据

  通过测试,能够获取到Longsys DDR5 32GB读/写/拷贝/延迟的性能跑分。  

江波龙电子DDR5内存横空出世 多项实测数据首次对公众开放

  为了更加直观地体现性能的提升力度,还加入了DDR4的测试对比。根据数据显示,Longsys DDR5在性能上实现了跨越式提升。

  Production

  Longsys DDR532GB 4800

  Longsys DDR432GB 3200

  各指标性能提升能力

  CL

  40

  22

  AIDA64

  Read

  35844

  25770

  40%

  Write

  32613

  23944

  36%

  Copy

  28833

  25849

  11%

  Latency

  112.1

  56.8

  --

  鲁大师

  内存跑分

  193864

  91757

  110%

  核心指标揭秘

  Longsys DDR5新技术强大之处

  功能/指标

  技术/参数

  纠错模式

  支持On-die-ECC

  预取模式

  支持16n Prefetch模式(BL16)

  端到端接收模式

  扩展增加CA/CS类信号ODT

  均衡模式

  支持DFE技术(增强信号完整性)

  电源管理模式

  增加PMIC集成功能

  刷新模式

  支持SAME-BANK Refresh技术

  通道模式

  内置独立双通道机制

  阵列分层模式

  支持8个BG,共32个Banks

  纠错能力增加在优化DDR5 DRAM内核运算能力上,Longsys DDR5增加内置纠错码(ECC),全面实现数据纠错能力,进一步提高数据完整性,同时也缓解了系统错误校正负担并充分利用DRAM读写的高效机制。

  增加16n的预取模式BL16使得Longsys DDR5内存的并发性在DDR4的基础上提升了一倍,信号能够更完整高效地传递。本次DDR5 DIMM新架构采用了两个完全独立的32位通道,提高了并发性,并使系统中可用的内存通道增加了一倍。

  端到端的接收模式的强化在DDR5新技术应用中除了DQ/DQS/DM继续采用ODT功能,增加CA、CS类信号也使用了ODT。因此,Longsys DDR5内存进一步减少了信号脉冲的反射干扰效应,让信号传输更加纯净。

  DDR5 Bank Group 翻倍DDR5内存使Bank Group的数量增加了一倍,并且每个Group的Bank数量保持不变。Longsys DDR5 BG提供更少的访问延迟,加倍提高了系统的整体效率,允许更多页面同时被打开。

  SAME-BANK Refresh刷新模式Longsys DDR5根据标准还实现了一个新特性,称为SAME-BANK Refresh(同步刷新)。此命令允许刷新每个BG中的一个Bank,使所有其他Banks保持打开状态以继续正常操作。

  FORESEE DDR5 内存模组产品(ES1)

  未来的应用场景不断革新和进步,对存储技术提出了更严苛的要求,亦大大加速了DDR5发展进程,各大主流平台对于DDR5的支持也推进迅速。Intel方面预计今年第三季度就有支持DDR5的平台上市。而驱动DRAM内存市场向DDR5升级的动力来自对带宽有强烈需求的专业应用领域,比如服务器、云计算、数据中心、高性能计算机等应用领域均有望得到重点部署,此次迭代也为行业客户提供了更出色的内存解决方案。

  Lexar雷克沙 DDR5 内存模组产品(ES1)随着全球大量资本进入电竞市场,促进了电竞行业日渐普及与成熟,这也让电竞玩家对内存等电脑配件的性能有了更高的追求。而Lexar雷克沙 DDR5的面世,不仅能够助力电竞玩家拥有更流畅的电竞体验,亦能带动电竞行业的可持续性发展。非但如此,对于白领用户,特别是设计师、剪辑师等对设备性能有刚需的职业,Lexar雷克沙DDR5可有效提高办公效率,将更多时间留给创造性工作。

  结语

  尽管Longsys内存产品线起步较晚,但能够在技术创新的征途上愈战愈勇,源于Longsys专注存储行业20余年的技术底蕴,以及打造高品质存储产品的决心。截止2021年3月12日,Longsys申请专利总数达到838个,其中境外专利申请178项;已授权且维持有效专利411项、其中境外授权且维持有效专利83项;软件著作权65项。在紧握自主创新能力的同时,注重对知识产权的保护。

  今年,Longsys内存产品线仍将精益求精,持续提供更多的DDR5产品规格和技术服务,助力行业客户、终端用户投入DDR5到未来的应用场景中,为存储生态领域增添色彩。

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